HXY MOSFET(华轩阳电子)China
ESD8D3.3C-HXY
Electrostatic and Surge Protection (TVS/ESD)该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为3.3V系统设计，提供单通道高效防护。器件能在瞬态条件下承受9A峰值脉冲电流IPP，有效防止双向静电放电对电路的影响。其结电容低至15pF，确保在高速数据接口应用中保持出色的信号完整性，是现代便携式与高集成电子设备的理想ESD保护选择。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
Reverse standoff voltage3.3 V
Clamping voltage7 VMax
PolarityBidirectional
| Power | |
|---|---|
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 9A |
| 钳位电压 | 7V |
| Other | |
| 极性 | 双向 |