HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系：sales@hxymos.com】该P沟道场效应管（MOSFET）最大漏极电流为50A，漏源击穿电压40V，导通电阻低至10mΩ。其低导通损耗特性有助于提升电源转换效率并减少发热，适用于高电流负载开关、电池保护电路及便携式设备的电源管理模块。该器件在有限空间内提供可靠的功率控制能力，适合对能效和热性能有严格要求的紧凑型电子系统设计。
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Key specs
Continuous drain current50 A
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | TO-252-2L |
| Other | |
| ID | 50A |
| RDON | 10mR |
| TYPE | P沟道 |
| VDSS | 40V |