HXY MOSFET(华轩阳电子)China
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，具备5A大电流处理能力。凭借其卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场景中，实现高效、稳定的功率控制与切换功能。
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current5 A
On-resistance45 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |