HXY MOSFET(华轩阳电子)China
FDN304PZ-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleFDN304PZ 型号P沟道MOS管,采用经济高效的SOT-23-3L封装形式,专为现代电子设备的小型化需求设计。器件拥有20V的额定电压VDSS,以及4.1A的连续电流ID处理能力,适用于多种功率控制应用。其导通电阻低至34mR,有助于提升系统效率,降低能耗。此款MOS管常用于电源开关、负载驱动、逻辑电平转换等功能模块,出厂前历经严格品质检验,确保为用户提供稳定可靠的性能表现。
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Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current4.1 A
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A |
| Other | |
| 数量 | 1个P沟道 |