HXY MOSFET(华轩阳电子)China
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，额定电流3A。具有低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效、节能的功率控制与管理。
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Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current3 A
On-resistance80 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |