HXY MOSFET(华轩阳电子)China
FDS6675BZ-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleFDS6675BZ P沟道MOSFET采用SOP-8封装工艺，专为高效能、大电流应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能持续承载高达12A的大电流，其突出优势在于仅有10mΩ的导通电阻，确保在高功率状态下也能展现出卓越的能效表现。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载开关等领域，以强大的电流处理能力和绝佳的电气性能，为您的电路设计提供强有力的支持。
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Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current12 A
On-resistance13 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 12A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |