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View full reportTechnical parameters
| Power | |
|---|---|
| IFSM-正向峰值电流 | 175A |
| IR-最大反向漏电流 | 5uA |
| 最大输出电流 | 10A |
| 最小击穿电压 | 600V |
| Environment and package | |
| 封装类型1 | GBJ |
| 最大工作温度 | 150°C |
| Other | |
| VF-二极管导通压降 | 1.1V |
| 三相整流桥 | 0 |
| 引脚数量1 | 0 |
| 肖特基整流 | 0 |
| Power | |
|---|---|
| IFSM-正向峰值电流 | 175A |
| IR-最大反向漏电流 | 5uA |
| 最大输出电流 | 10A |
| 最小击穿电压 | 600V |
| Environment and package | |
| 封装类型1 | GBJ |
| 最大工作温度 | 150°C |
| Other | |
| VF-二极管导通压降 | 1.1V |
| 三相整流桥 | 0 |
| 引脚数量1 | 0 |
| 肖特基整流 | 0 |