HXY MOSFET(华轩阳电子)China
负载/电源开关 放大电路 高频通信设备 接口，逻辑交换 超小型便携式电子产品的电池管理
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current660 mA
On-resistance560 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 560mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |