HXY MOSFET(华轩阳电子)China

这款数字晶体管为NPN型，具备稳定的电气性能，其设计集射极击穿电压（Vceo）最高可达50V，适用于多种电子控制场景。该晶体管能够承载的最大集电极电流（Ic）为30mA，适合用于信号放大及开关电路中，能够有效确保信号传输的准确性和电路工作的可靠性。在消费电子产品及日常电子设备的设计与制造中，此款晶体管是实现高效能电路功能的理想选择。