All alternatives
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Technical parameters
| Power | |
|---|---|
| 最大供电电压 | 18V |
| 最大工作电压 | 18V |
| 最大驱动电流 | 3A |
| 最小供电电压 | 6V |
| 最小工作电压 | 6V |
| 输出拉电流峰值 | 3A |
| 输出灌电流峰值 | 4A |
| 静态工作电流 | 390uA |
| 驱动源电流 | 3A |
| 驱动灌电流 | 4A |
| AC and DC characteristics | |
| toff-关断延迟时间 | 30ns |
| ton-开通延迟时间 | 30ns |
| 关断延迟时间(Typ) | 30ns |
| 开启延迟时间(Typ) | 30ns |
| Environment and package | |
| 封装类型1 | TDFN |
| 封装类型2 | DFN |
| 封装类型3 | SOIC |
| 最大工作温度 | 125℃ |
| 最小工作温度 | -40℃ |
| Other | |
| DESAT过流保护检测 | 0 |
| EN使能控制 | 0 |
| tf-下降时间 | 20ns |
| tr-上升时间 | 20ns |
| 上升时间(Typ) | 20ns |
| 下降时间(Typ) | 20ns |
| 交错导通保护 | 0 |
| 使能关断 | 0 |
| 内置自举二极管 | 1 |
| 引脚数量1 | 10 |
| 引脚数量2 | 8 |
| 引脚数量3 | 8 |
| 死区时间控制 | 0 |
| 集成自举二极管 | 1 |
| 高侧最大耐压 | 115V |
| 高侧耐压 | 115V |
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