Hangyu(航昱微)China
HL3401A-4.2A
Transistors - FETs, MOSFETs - Single特性：VDS = -30V。 ID = -4.2A。 RDS(on)@VGS = -10V < 65mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 75mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 90mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。应用：电池保护。 负载开关
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Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current4.2 A
On-resistance35 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |
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