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Technical parameters

Power
Ic-最大集电极电流0.1A
IC-最大集电极电流0.1A
VCEO-CE结击穿电压120V
VCEO-集射级击穿电压120V
AC and DC characteristics
fT-变换频率100MHZ
hFE-最小直流增益200
Hfe-最小直流增益200
Environment and package
封装类型1SOT25
最大工作温度150℃
Other
VCE(sat)-CE结饱和压降0.3V
VCE(sat)-集射级饱和压降0.3V
引脚数量15

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