HXY MOSFET(华轩阳电子)China
IRF1407PBF-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleIRF1407PBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-220封装，专为应对高电压、超高电流应用挑战而设计。器件具有120V的击穿电压和惊人的125A连续电流处理能力，特别适合于大型电源转换、电机驱动等场景。其出色的导通电阻仅为6mΩ，即使在满载运行时也能保持低功耗和高效率。选择IRF1407PBF MOS管，为您的工程项目注入澎湃动力与卓越能效。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage120 V
Continuous drain current120 A
On-resistance7.5 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 120V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |