JSMSEMI(杰盛微)China
IRF3205S-JSM
Transistors - FETs, MOSFETs - Single适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
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Key specs
Drain-source voltage55 V
Continuous drain current110 A
On-resistance8 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 55V |
| 连续漏极电流(Id) | 110A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
Documents
DatasheetDatasheet · 555.6 KB · 2026-10-06DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 276.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
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