VBsemi(微碧半导体)China
IRF540NSTRPBF-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，具有高性能和可靠性，采用Trench工艺制造，适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO263；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage100 V
Continuous drain current45 A
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 45A |
| Other | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |