TECH PUBLIC(台舟)China
IRF8313TRPBF-TP
Transistors - FETs, MOSFETs - Single特性：RDS(ON)≤16 mΩ@VGS=10V。 RDS(ON)≤20 mΩ@VGS=4.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current8.3 A
On-resistance20 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 8.3A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V,8A |
| 数量 | 2个N沟道 |
Documents
DatasheetDatasheet · 21.9 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 3.3 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 2.1 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 903.9 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 894.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 864.7 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 554.8 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 455.8 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 53.9 KB · 2026-09-21
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