JSMSEMI(杰盛微)China
IRLML2402TRPBF-JSM
Transistors - FETs, MOSFETs - Single广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效能、稳定可靠的功率控制。
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current2.5 A
On-resistance85 mΩMax · 2.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V,2A |
| 数量 | 1个N沟道 |
Documents
DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 751.8 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
Open document center