HXY MOSFET(华轩阳电子)China
IRLML6302PBF-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single这款IRLML6302PbF MOS管采用先进的P沟道技术，封装为小巧耐用的SOT-23形式。其拥有卓越的电气性能，工作电压高达20V，连续电流可达2.3A，低至95mΩ的导通电阻确保了高效的能源转换与传输。适用于各类电源管理、电机驱动等应用场景，是您设计电路的理想选择，兼具高性能与可靠性。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current2.3 A
On-resistance170 mΩMax · 2.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |