HXY MOSFET(华轩阳电子)China
IRLR024NTRPBF-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleIRLR024NTRPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用封装TO-252-2L，专为紧凑高效电路设计打造。此款器件提供60V的额定电压VDSS，以及强大的20A连续电流ID，确保出色的电力传输性能。尤其值得注意的是，其优异的导通电阻RD(on)低至27mΩ，大大降低了系统内部功耗，提升了整体能效。是您实现电源管理、优化电路性能的理想半导体组件选择。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current20 A
On-resistance32 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |