HXY MOSFET(华轩阳电子)China
IRLR7843TRPBF-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达120A，专为高功率、大电流应用场景设计，如电源转换器和电机控制器，提供卓越的开关性能与低损耗优势。
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current120 A
On-resistance3 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V,20A |
| 数量 | 1个N沟道 |