HXY MOSFET(华轩阳电子)China
KBL410
Bridge Rectifiers这款采用KBL封装的半导体整流桥器件,专为高效能、低损耗应用打造。其主要特性包括VR最高耐压高达1000V,确保在高压条件下稳定可靠运行;VF表现卓越,仅1.1V@4A,即使在4A的工作电流下也能保持极低电压降,有效提升电源转换效率并减少能耗;额定电流IO为4A,提供强大且稳定的电流处理能力。广泛应用于各类电源系统、逆变器等电子设备中,助力提升整体性能与稳定性。
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Key specs
Reverse voltage1 kV
Average rectified current4 A
Forward voltage1.1 VMax · 4A
| Power | |
|---|---|
| 整流电流 | 4A |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 200A |
| Other | |
| 正向压降(Vf) | 1.1V@4A |
| 直流反向耐压(Vr) | 1kV |