HXY MOSFET(华轩阳电子)China
此款整流桥具备800V的反向电压(VR)与3A的正向电流(IF),适用于小型交流转直流应用。其1.1V的正向电压降(VF)有助于提高能效,5μA的反向漏电流(IR)确保了低功耗表现。此外,它能在短时间内承受高达80A的瞬态浪涌电流(IFSM),适用于电源适配器、充电设备及小型家用电器等多种场合,提供稳定可靠的整流性能。
All alternatives
View full reportTechnical parameters
| Power | |
|---|---|
| 反向电流IR | 5uA |
| 电压 | 800V |
| 电流 | 3A |
| Environment and package | |
| 封装 | KBP |
| Other | |
| 压降 | 1.1V |