MSKSEMI(美森科)China
LBSS138LT1G-MS
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleMOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：0.3A 功率(Pd)：0.35W 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.8V-1.6V@250uA
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Key specs
ChannelN-channel
Continuous drain current300 mA
On-resistance1.2 ΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | <SPAN CLASS='LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS'>55V</SPAN> |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,0.2A |
| 数量 | 1个N沟道 |