HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.38V，具备优异的导通效率。在瞬态过载条件下，器件可承受高达88A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其低VF值与碳化硅材料的高热导率相结合，有助于降低功耗并提升系统在高频开关应用中的整体性能，适用于对体积、效率及热稳定性有较高要求的电源转换场景。