HXY MOSFET(华轩阳电子)China
MCR100-6
SCRs - Modules本款精巧型单向可控硅采用节省空间的SOT-23封装,适用于紧凑电路设计。器件具备400V高耐压性能,在A1档位下可承载15-30A电流,稳定可靠。其门极触发电流Igt低至200uA,实现精准控制与快速启动。特别适用于需要高效能电力开关、调光或电机驱动的应用场景,是您系统中不可或缺的功率调控组件。
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
Off-state voltage400 V
Gate trigger current60 µAMax
| 保持电流(Ih) | 5mA |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 400V |
| 门极触发电压(Vgt) | 800mV |
| 门极触发电流(Igt) | 60uA |