HXY MOSFET(华轩阳电子)China

这款开关二极管具有典型正向电流(IF)为0.3安培，反向电压(VR)高达100伏特，确保了其在高电压应用中的可靠性。该器件的正向电压降(VF)仅为1伏特，在导通状态下能够有效减少能量损耗。在关闭状态下，其反向漏电流(IR)低至1微安，表明它能够很好地阻止反向电流通过。此外，瞬时正向浪涌电流(IFSM)可达2安培，使其能够在短时间承受较大的电流冲击。这些特性使得此二极管适用于高频信号切换、逻辑电平转换等多种电路设计中。