TDD(台冠电子)China

三极管配置：独立式；晶体管类型 PNP；1 个 PNP；直流电流增益 (hFE) 100~300；集电极截止电流 (Icbo) 10nA；集射极饱和电压 (VCE (sat)) 400mV；集射极击穿电压 (Vceo) 60V；射基极击穿电压 (VEBO) 5V；特征频率 (fT) 200MHz；集电极电流 (IC) 600mA；耗散功率 (Pd) 200mW；工作结温范围 - 55℃~+150℃