JSMSEMI(杰盛微)China
专为中等电压、中等电流环境下的线性和开关应用设计,是各类电子设备电路的理想半导体元件。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
TypeNPN
Collector-emitter voltage40 V
Collector current600 mAMax
Power350 mWMax
| Power | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 集电极电流(Ic) | 600mA |
| Other | |
| 晶体管类型 | NPN |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
Documents
DatasheetDatasheet · 35.2 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 597.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
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