HXY MOSFET(华轩阳电子)China
MMBT5401WT1G-HXY
Bipolar Transistors - Unspecified Type此款PNP型三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流(IC)能力，适用于需要中等电流驱动的应用场景。其集电极-发射极间的最大电压(VCEO)为150V，确保在高压工作环境下的稳定运行。直流电流增益(HFE)范围在100至300之间，提供了有效的电流放大功能。特征频率(FT)达到100MHz，保证了高速开关与信号处理的能力。该三极管适合用于构建可靠的放大器电路和信号处理系统，特别适用于对稳定性和速度有较高要求的电子设备中。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
Collector-emitter voltage150 V
Collector current600 mAMax
DC current gain30010mA
Power200 mWMax
| Power | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 150V |
| 集电极电流(Ic) | 600mA |
| AC and DC characteristics | |
| 直流电流增益(hFE) | 300@10mA,5V |
| Other | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |