HXY MOSFET(华轩阳电子)China

这款高性能NPN型三极管采用紧凑型SOT-23封装，特别适合现代精密电路设计。器件具有高达350V的卓越集电极发射极击穿电压（VCEO）及0.2A连续集电极电流（IC），放大倍数在50至200之间，确保了强大的信号处理能力。适用于各类高耐压、中低电流应用环境，是您电子产品设计的理想三极管解决方案。