TDD(台冠电子)China

三极管配置 双管集成式；晶体管类型 NPN；2 个 NPN；直流电流增益 (hFE) 100~300；集电极截止电流 (Icbo) 50nA ；集射极饱和电压 (VCE (sat)) 200mV；集射极击穿电压 (Vceo) 40V；射基极击穿电压 (VEBO) 6V；特征频率 (fT) 300MHz； 集电极电流 (IC) 200mA；耗散功率 (pd) 200mW；工作结温范围 - 55℃~+150℃