HXY MOSFET(华轩阳电子)China
此款SOT-363封装的NPN+PNP双极型三极管，单个单元具备40V的VCEO和0.2A的最大集电极电流，放大倍数在100至300之间，适用于各种互补对称电路设计，提供高效、精准的信号放大与反相功能。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
TypeNPN + PNP
Collector-emitter voltage40 V
Collector current200 mAMax
Power200 mWMax
| Power | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
| Other | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |