HXY MOSFET(华轩阳电子)China
该款SOT-363封装的双PNP三极管，每单元具有150V高耐压VCEO和0.2A集电极电流容量，放大倍数范围在100至300之间，专为高电压、低功耗应用设计，是构建高效互补电路的理想选择。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
TypePNP
Collector-emitter voltage150 V
Collector current200 mAMax
Power200 mWMax
| Power | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 150V |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
| Other | |
| 晶体管类型 | PNP+PNP |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |