VBsemi(微碧半导体)China
MTP3055VL-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，具有适中的电压容限和漏极电流，适用于中功率应用场景。TO220；N—Channel沟道,60V；50A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current50 A
On-resistance24 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V,50A |
| 数量 | 1个N沟道 |