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| Power | |
|---|---|
| IC(100℃)-最大集电极电流 | 50A |
| Ic(100℃)-集电极直流电流 | 50A |
| IC(25℃)-最大集电极电流 | 82A |
| Ic(25℃)-集电极直流电流 | 82A |
| Icm-集电极峰值电流 | 150A |
| ICM-集电极峰值电流 | 150A |
| Ifm-二极管正向峰值电流 | 150A |
| IFM-二极管正向峰值电流 | 150A |
| If-二极管正向电流 | 50A |
| IF-二极管正向电流 | 50A |
| PD(25℃)-最大允许功耗 | 590W |
| Vce(sat)-集射极导通饱和电压 | 1.7V |
| Vces-集射极阻断电压 | 1200V |
| VCES-集射极阻断电压 | 1200V |
| Environment and package | |
| 封装类型1 | TO3P |
| Other | |
| Eoff-关断损耗能量 | 2.4mJ |
| Eon-开通损耗能量 | 4.4mJ |
| Pd-功率耗散 | 590W |
| Qg-栅极充电电荷 | 267nC |
| Qg-栅极电荷 | 267nC |
| tf-下降时间 | 18ns |
| Tf-开关关断时间 | 18ns |
| VCE(sat)-集射级饱和压降 | 1.7V |
| Vf-二极管导通压降 | 2.3V |
| VF-二极管导通压降 | 2.3V |
| Vges-门极发射极耐压 | 30V |
| Vge(th)-门极发射极阈值 | 5 |
| 内置ESD保护二极管 | 0 |
| 内置串联二极管 | 0 |
| 引脚数量1 | 3 |
| 软开关 | 0 |
| 集成ESD二极管 | 0 |
| 集成串联二极管 | 0 |
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