Zhengxin(正芯)China
采用GPP工艺芯片，具有低漏电、高对档率等优势 ，有较好的高温特性及稳定性。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
Reverse standoff voltage10.2 V
Clamping voltage16.7 VMax
PolarityBidirectional
| Power | |
|---|---|
| 反向截止电压(Vrwm) | 10.2V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 24.6A |
| 钳位电压 | 16.7V |
| Other | |
| 极性 | 双向 |