HXY MOSFET(华轩阳电子)China
本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计。具备2.3A的电流承载能力，能在111V电压下稳定工作。单通道Bi双向类型，确保电路安全可靠。适用于多种电子系统，为您的设备提供强大防护。
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View full reportTechnical parameters
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SMA |
| Other | |
| IPP | 2.3A |
| LINE | 1通道 |
| TYPE | Bi双向 |
| VRWM | 111V |
本元器件专为保护电子设备免受静电和浪涌影响而设计。具备2.3A的电流承载能力，能在111V电压下稳定工作。单通道Bi双向类型，确保电路安全可靠。适用于多种电子系统，为您的设备提供强大防护。
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SMA |
| Other | |
| IPP | 2.3A |
| LINE | 1通道 |
| TYPE | Bi双向 |
| VRWM | 111V |