PB6158B
ActivePB6158B适用于雾化器，快充电源，备用电源，是一种同步增压充电器控制器，可以支持反向放电操作。可支持36V的电池电压，无论适配器电压较高，都能有效管理1~6芯锂离子电池的充电过程。当系统需要从电池中产生输出时，PB6158B也可以为电池放电，并提供高达36V的所需输出。PB6158B采用QFN32封装。
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| Power | |
|---|---|
| CURRENT LIMIT - ACIN 6 | I | 将此引脚连接到AC适配器输入节点或微uSB端口，以检测AC适配器插入事件。当检测到插入事件时，IC设置AC_OK位并输出一个INT中断脉冲以通知单片机。 |
| CURRENT LIMIT - AGND 12 | I/O | 模拟地面。在热垫处连接PGND和AGND在IC。 |
| CURRENT LIMIT - BT2 28 | I | 将BT2引脚和SW2引脚之间的一个100nF电容器连接到引导程序一个针对高侧MOSFET驱动器的偏置电压。 |
| CURRENT LIMIT - /CE 7 | I | 芯片启用控制。将此引脚拉至逻辑低，以启用集成电路；将此引脚拉至逻辑高，以禁用集成电路。这个销是内部拉低。 |
| CURRENT LIMIT - COMP 23-24 | I | 在此引脚处连接电阻器和电容器，以补偿控制回路。 |
| CURRENT LIMIT - DM 14-18 | IO | USB接口的负数据线。可通过单片机控制，实现QC2.0/3.0握手，实现快速装料。 |
| CURRENT LIMIT - DP 13 | IO | USB接口的正数据线。可通过单片机控制，实现QC2.0/3.0握手，实现快速装料。 |
| CURRENT LIMIT - FB 19-22 | I | 针对VBUS电压的反馈节点。连接电阻分配器VBUS至FB，在外部方式设置VBUS放电输出电压。FB参考文件也可以通过I2C进行编程。 |
| CURRENT LIMIT - GPO 2 | O | 通用用途的开放式排水沟输出。它是由GPO_CTRL控制的比特用户可以使用此引脚驱动外部PMOS与一个拉出电阻器。 |
| CURRENT LIMIT - HD2 29 | O | 门驱动器输出，以控制外部高侧功率MOSFET。 |
| CURRENT LIMIT - INDET1 3 | I | 将此引脚连接到USB-A端口，以检测负载插入事件。当检测到插入事件时，IC设置INDET1位和输出一个INT中断脉冲，以通知单片机。 |
| CURRENT LIMIT - INDET2 5 | I | 将此引脚连接到USB-A端口，以检测负载插入事件。当检测到插入事件时，IC设置INDET2位并输出一个INT中断脉冲以通知单片机。 |
| CURRENT LIMIT - INT 11 | O | 一个用于中断信号的开路漏极输出。IC在INT引脚处发送一个逻辑低脉冲，如果发生中断事件，则通知主机。 |
| CURRENT LIMIT - LD2 31 | O | 门驱动器输出，以控制外部低侧功率MOSFET。 |
| CURRENT LIMIT - PGATE/DITHER 4 | IO | PMOS门驱动器由PGATE位控制，用于控制电源路径上的外部PMOS。该引脚可以通过I2C进行配置，用于切换频率抖动功能。频率抖动时，将陶瓷电容器（典型100nF)连接接地功能 |
| CURRENT LIMIT - PSTOP 8 | I | 电源停止控制。将此引脚拉至逻辑低，使电源块启用；将此引脚拉至逻辑高，以禁用电源块，集成电路进入待机模式。在待机模式下，只有交流适配器和负载插入检测功能，I2C电路继续工作。这个销是内部拉低。 |
| CURRENT LIMIT - SCL 9 | I | I2C接口时钟。通过上拉装置将SCL连接到逻辑导轨电阻器（典型的10 kΩ)。IC作为从端工作，I2C地址为0x74H。 |
| CURRENT LIMIT - SDA 10 | I/O | I2C接口数据。通过上拉装置将SDA连接到逻辑导轨电阻器（典型的10 kΩ)。 |
| CURRENT LIMIT - SNS1P 1 | I | 电流感测放大器的正极输入。连接到电源路径上的电流感应电阻（典型的10mΩ）的一个垫板，以感应电流进入或流出VBUS。 |
| CURRENT LIMIT - SNS2N 25 | I | 电流感测放大器的负极输入。连接到电源路径上的电流感应电阻（典型10 mΩ)的一个垫，以感应进电池或出电池的电流。 |
| CURRENT LIMIT - SNS2P 26 | I | 电流感测放大器的正极输入。连接到电源路径上的电流感应电阻（典型的10mΩ)的另一个衬垫上，以检测进入电池或进出电池的电流。 |
| CURRENT LIMIT - SW2 30 | I/O | 切换节点。连接到电感器。 |
| CURRENT LIMIT - VBAT 27 | I | 提供给集成电路的电源。连接到蓄电池正极节点。将一个1μF电容器从这个引脚放置到PGND上，尽可能靠近IC。 |
| CURRENT LIMIT - VDRV 33 | I | 内部驱动器电路的电源输入。 |
| CURRENT LIMIT - VLDO 32 | O | 一个内部的3.3V线性调节器的输出。连接一个1 μF的电容器从VLDO pin到AGND。 |
| CURRENT LIMIT - 充电方式, 12A target IBAT_RATIO = 1 (12x) IBAT_LIM = 0xFF -10% | 10% |
| CURRENT LIMIT - 充电方式, 3A target IBUS_RATIO = 10 (3x) IBUS_LIM = 0x7F -10% | 10% |
| CURRENT LIMIT - 放电方式, 3A target IBUS_RATIO = 10 (3x) IBUS_LIM = 0x7F -10% | 10% |
| CURRENT LIMIT - 放电方式, 6A target IBUS_RATIO = 01 (6x) IBUS_LIM = 0x7F -10% | 10% |
| VDRV、拨和电源开关 - IVDRV_LIM VDRV电流限制 | PSTOP = L VBUS = 5V, VCC = 4V | 45 | mA |
| VDRV、拨和电源开关 - PSTOP = H 1 | mA |
| VDRV、拨和电源开关 - PSTOP = H 2 | V |
| VDRV、拨和电源开关 - PSTOP = L, VBUS = 5V 4.95 | 4.98 | 5 | V |
| VDRV、拨和电源开关 - RHS/LS_PD 高/低侧MOS驱动程序下拉电阻器 | 1 | Ω |
| VDRV、拨和电源开关 - RHS/LS_PU 高/低侧MOS驱动程序上拉电阻箱 | 4 | Ω |
| VDRV、拨和电源开关 - VDRV 关闭电流到VBAT | PSTOP = L, VBUS = 9V | 5.75 | 6 | 6.25 | V |
| VLDO，单片机的电源 - 3.0 | V |
| VLDO，单片机的电源 - 5.0 | V |
| VLDO，单片机的电源 - ILDO VLDO电流限制 | VBUS=5V, VLDO=3.3V | 10 | mA |
| VLDO，单片机的电源 - VLDO VLDO调节电压 | 3.3 | V |
| 充电模式下的参考电压 - 10V target VINREG_SET = 0xF9,VINREG_RATIO = 1 9.8 | 10 | 10.2 | V |
| 充电模式下的参考电压 - 15V target VINREG_SET = 0x95, VINREG_RATIO = 0 14.7 | 15 | 15.3 | V |
| 充电模式下的参考电压 - 4.48V target VINREG_SET=0x6F, VINREG_RATIO = 1 4.4 | 4.5 | 4.6 | V |
| 充电模式下的参考电压 - Cell number = N VCELL_SET = 000~1111, TRICKLE_SET = 1 2.31* N | 2.52* N | 2.73* N | V |
| 充电模式下的参考电压 - FB_SEL = 0 VBUS_RATIO = 0 (12.5x) VBUS = 9 ~ 24V -2% | 2% |
| 充电模式下的参考电压 - VBAT_OVP VBAT OVP阈值，超过VBAT目标 | VBAT_SEL = 0/1 | 107% | 110% | 112% |
| 充电模式下的参考电压 - VBUS_OVP VBUS OVP阈值，上升边缘 | VBUSREF_I_SET = 1V VBUSREF_E_SET = 1V | 107.3% | 110% | 113% |
| 充电模式下的参考电压 - VCLAMP 125 | mV |
| 充电模式下的参考电压 - VEOC EOC电压阈值，超过VBAT目标 | 97% | 98% | 99% |
| 充电模式下的参考电压 - VFB 外部设置时的FB参考电压 | FB_SEL = 1, VBUSREF_E_REF target from 0.5V to 2.048V | -2% | 2% |
| 充电模式下的参考电压 - VINREG VINREG参考电压 | 4.5V target VINREG_SET = 0x2C,VINREG_RATIO = 0 | 4.3 | 4.5 | 4.7 | V |
| 充电模式下的参考电压 - VRECH 重新充电阈值电压，超过VBAT目标 | 94.8% | 95.8% | 96.8% |
| 充电模式下的参考电压 - VTRICKLE_int 内部设置的涓流充电阈值电压 | Cell number = N VCELL_SET = 000~1111, TRICKLE_SET = 0 | 2.73* N | 2.94* N | 3.15* N | V |
| 充电模式下的参考电压 - 滞后作用 VBUSREF_I_SET = 1V VBUSREF_E_SET = 1V | 3% |
| 电源电压 - IQ_VBAT 静止电流进入VBAT | VBUS = 5V PSTOP = L, 非交换的 | 2.4 | 4 | mA |
| 电源电压 - IQ_VBUS 静止电流进入VBUS | PSTOP = L, 非交换的 | 40 | μA |
| 电源电压 - ISB_VBAT 待机电流进入VBAT | VBUS打开 PSTOP = H, AD_START = 0 | 40 | μA |
| 电源电压 - ISB_VBUS 待机电流进入VBUS | PSTOP = H, AD_START =0 | 40 | μA |
| 电源电压 - ISD_VBAT 关闭电流到VBAT | /CE = H, VBUS = open | 35 | μA |
| 电源电压 - VBUS = 5V PSTOP = L, 充电终止后 2.4 | 4 | mA |
| 电源电压 - VBUS open PSTOP = H, AD_START = 1 0.65 | 1.2 | mA |
| 电源电压 - VUVLO_VBAT VBAT欠压锁定阈值 | 上升 | 2.4 | 2.6 | V |
| 电源电压 - VUVLO_VBUS VBUS欠压锁定 | 上升 | 2.5 | 2.7 | V |
| AC and DC characteristics | |
| CURRENT LIMIT - IBAT_LIM IBAT电流限制精度 | 充电方式, 6A target IBAT_RATIO = 0 (6x) IBAT_LIM = 0xFF | -10% | 10% |
| CURRENT LIMIT - IBUS_LIM IBUS电流限制精度 | 充电方式, 6A target IBUS_RATIO=01(6x) IBUS_LIM = 0x7F | -10% | 10% |
| 充电模式下的参考电压 - VBATS_int 内部设置的VBATS精度，超过VBATS目标 | VCELL_SET=000~111 | -0.5 | 0.5 | % |
| 充电模式下的参考电压 - VBUS 内部设置的VBUS参考电压精度 | FB_SEL = 0 VBUS_RATIO = 1 (5x) VBUS = 3.6 ~10.24V | -2% | 2% |
| 电源电压 - 延迟 170 | mV |
| 电源电压 - 延迟 170 (2) | mV |
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