HXY MOSFET(华轩阳电子)China

此静电和浪涌保护器件为Bi双向设计，适用于1通道线路保护。它具备3.3V的反向工作电压（VRWM），能够在不影响正常信号传输的情况下，有效抵御突然出现的高电压威胁。其IPP峰值脉冲电流可达38A，确保在遭遇异常电压时快速响应并保护电路安全。电容值CJ为80pF，有助于维持信号的完整性，同时提供必要的保护功能。该器件适合集成到各类需要精细电压保护的电子设备中，如消费电子产品和通信接口，保障内部电路免受静电放电和瞬态电压尖峰的影响。