VBsemi(微碧半导体)China
QM3006M3-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。DFN8(3X3)；N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage30 V
Gate threshold voltage1.2 VMax
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| Other | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 33W |