QNHCHIP(乾能惠)China

1个N 沟道，共源配置；Vdss=30V，Id=13A；RDS(ON)=14.5mΩ@4.5V;9.5mΩ@10V；Vgs=±20V，VGS(th)=1.2~2.2V；Ciss=1002pF，Coss=131pF，Crss=105pF；Pd=1.6W，Qg=20nC@10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。