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Technical parameters

Power
内置BJT/MOS击穿电压BVCBO(V)800V
内置BJT/MOS最大集电极电流Ic/Rds_on4A
待机功耗<75mW
AC and DC characteristics
最高工作频率<75K
Other
VDD范围5V~18V
工作模式DCM
能效标准六级能效
输出功率范围(W)≤12W

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