HXY MOSFET(华轩阳电子)China
该款SOT-23封装PNP型三极管,具有25V的高击穿电压VCEO和0.5A集电极电流能力,放大倍数范围为120至400,适用于各类低功率、精密信号放大电路,提供优异的性能表现。
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
TypePNP
Collector-emitter voltage25 V
Collector current500 mAMax
Power300 mWMax
| Power | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| Other | |
| 晶体管类型 | PNP |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |