JSMSEMI(杰盛微)China

S9013

Bipolar Transistors - Unspecified Type

hFE:200-350 适合于低功耗、高增益应用场合，适用于各类精密电子设备及电路设计，是您微型化项目中的理想半导体元件。

See alternativesAsk AI FAEDatasheet PDF

All alternatives

View full report

Technical parameters

Key specs

TypeNPN
Collector-emitter voltage25 V
Collector current500 mAMax
Power300 mWMax
Power
集射极击穿电压(Vceo)25V
集电极电流(Ic)500mA
Other
晶体管类型NPN
耗散功率(Pd)300mW

Documents

DatasheetDatasheet · 35.2 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 852.7 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
Open document center