HXY MOSFET(华轩阳电子)China
这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，其连续电流ID/A可达120A，最大工作电压VDSS/V为650V，导通电阻RDSON/mΩ仅为15毫欧，栅源电压VGS/V为±15V，且属于N沟道类型。这些参数表明该器件能够在高功率密度应用中提供低损耗、高效能的表现，适用于要求苛刻的电源转换场景，如高性能计算电源、可再生能源系统中的逆变器等，能够有效提升系统的整体效率与可靠性。
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Key specs
Continuous drain current120 A
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | TO-247H-4L |
| Other | |
| ID | 120A |
| RDON | 15mR |
| TYPE | N沟道 |
| VDSS | 650V |
| VGS | 15V |