HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定平均正向整流电流为10A，反向重复峰值电压达650V，正向导通压降为1.38V，具备较低的导通损耗。得益于碳化硅材料的高耐热性与高击穿电场特性，该器件可在较高结温下稳定运行，并具有优异的反向恢复特性，显著减少开关过程中的能量损耗。适用于高效率功率转换电路，如大功率开关电源、不间断电源、储能系统及高压直流变换模块，有助于提升系统整体能效与功率密度。