HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.37V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，可有效降低开关损耗。适用于高频率、高效率的电源转换电路，如开关模式电源、光伏逆变系统、高密度电源模块及高性能DC-DC转换器中，能够提升系统整体能效并减少散热需求。