HXY MOSFET(华轩阳电子)China

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），并且能够在高达1200伏特的反向电压（VR/V）下工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.35伏特，在同类产品中表现出较低的能量损耗特性。该二极管的反向漏电流（IR/uA）为250微安，在较高温度下也能保持稳定的性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）最大可达71安培，适用于需要高可靠性和快速开关特性的应用环境中，如高频转换电路或通用电源设计中，能够提供卓越的效率与可靠性。