HXY MOSFET(华轩阳电子)China
该款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,专为20V电压应用设计,具有高达6A的连续电流承载能力。凭借其出色的低导通电阻和快速开关特性,广泛适用于充电器、电源转换及各种高效能电子设备中,提供稳定可靠的功率管理方案。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage20 V
On-resistance27 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |