HXY MOSFET(华轩阳电子)China
SI2312BDS-T1-BE3-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single该N沟道场效应管最大漏极电流为4.5A，漏源击穿电压20V，导通电阻23mΩ，栅源电压额定值12V。器件在20V电压范围内具备低导通损耗特性，适用于笔记本电脑电源管理、电池保护电路及便携式设备负载开关。其参数设计有助于优化系统能效，适合对空间和热性能有严格要求的消费类电子应用。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current3 A
On-resistance23 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |